导读 以nvidia为中心的泄密者kopite7kimi透露，为geforcertx5090提供动力的gb202gpu将在台积电的4np节点上制造，与gb100相同。他们还讨论了每个s...

以nvidia为中心的泄密者kopite7kimi透露，为geforcertx5090提供动力的gb202gpu将在台积电的4np节点上制造，与gb100相同。他们还讨论了每个sm(流式多处理器)上吞吐量的提高。

有着无可挑剔记录的泄密者kopite7kimi透露了一些有关为下一代geforcertx5090、rtx5080和rtx5070提供动力的gb202、gb203和gb205gpu的信息。不久前，nvidia展示了其基于blackwell架构的旗舰gb100gpu，kopite7kimi确认geforcertx50系列将在同一台积电4np(不要与n4p混淆)节点上制造。

泄密者补充说，4np节点应该会使晶体管密度增加30%。这明显高于n4和n4p之间增加的6%晶体管密度。对于nvidia来说，使用其定制节点(4n)的增强版本而不是在n3b和n3e等尖端替代品上争夺容量是有意义的。nvidia能否将尺寸保持在euv光罩限制(856mm2)内而不影响良率仍有待观察。

kopite7kimi补充说，gb202(和其他blackwellgpu)的每个sm(流式多处理器)可能会获得更大的l1缓存。这可能是整个sm重新设计的一部分，泄密者称这将提高每个sm的吞吐量。由于整个gb3202预计具有192个sm，geforcertx5090实际上可能会实现传闻中的2.6性能提升。